Simulation of fabricated 20-nm schottky barrier MOSFETs on SOI: Impact of barrier lowering

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Zeitschrift:
IEEE Transactions on Electron Devices

ISSN: 0018-9383

Datum der Publikation: 2012

Ausgabe: 59

Nummer: 5

Seiten: 1320-1327

Art: Artikel

DOI: 10.1109/TED.2012.2187657 GOOGLE SCHOLAR
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