Compact drain-current model for reproducing advanced transport models in nanoscale double-gate MOSFETs

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Revista:
Semiconductor Science and Technology

ISSN: 0268-1242,  1361-6641

Año de publicación: 2011

Volumen: 26

Número: 9

Tipo: Artículo

DOI: 10.1088/0268-1242/26/9/095015 GOOGLE SCHOLAR

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