Analytical drain current model reproducing advanced transport models in nanoscale double-gate (DG) MOSFETs

  1. Cheralathan, M.
  2. Sampedro, C.
  3. Roldán, J.B.
  4. Gámiz, F.
  5. Iannaccone, G.
  6. Sangiorgi, E.
  7. Iñiguez, B.
Actes:
2011 12th International Conference on Ultimate Integration on Silicon, ULIS 2011

ISBN: 9781457700903

Any de publicació: 2011

Pàgines: 27-30

Tipus: Aportació congrés

DOI: 10.1109/ULIS.2011.5757954 GOOGLE SCHOLAR

Objectius de Desenvolupament Sostenible

Font de les dades: Scopus