Hole transport in DGSOI devices: Orientation and silicon thickness effects

  1. Donetti, L.
  2. Gámiz, F.
  3. Rodríguez, N.
  4. Jiménez-Molinos, F.
  5. Roldán, J.B.
Revista:
Solid-State Electronics

ISSN: 0038-1101

Any de publicació: 2010

Volum: 54

Número: 2

Pàgines: 191-195

Tipus: Article

DOI: 10.1016/J.SSE.2009.12.018 GOOGLE SCHOLAR
Font de les dades: Scopus