Hole mobility in ultrathin double-gate soi devices: The effect of acoustic phonon confinement

  1. Donetti, L.
  2. Gamiz, F.
  3. Rodriguez, N.
  4. Godoy, A.
Revista:
IEEE Electron Device Letters

ISSN: 0741-3106

Any de publicació: 2009

Volum: 30

Número: 12

Pàgines: 1338-1340

Tipus: Article

DOI: 10.1109/LED.2009.2032568 GOOGLE SCHOLAR
Font de les dades: Scopus