Hole mobility in ultrathin double-gate soi devices: The effect of acoustic phonon confinement

  1. Donetti, L.
  2. Gamiz, F.
  3. Rodriguez, N.
  4. Godoy, A.
Zeitschrift:
IEEE Electron Device Letters

ISSN: 0741-3106

Datum der Publikation: 2009

Ausgabe: 30

Nummer: 12

Seiten: 1338-1340

Art: Artikel

DOI: 10.1109/LED.2009.2032568 GOOGLE SCHOLAR
Datenquelle: Scopus