The effect of surface roughness scattering on hole mobility in double gate silicon-on-insulator devices

  1. Donetti, L.
  2. Gámiz, F.
  3. Rodriguez, N.
  4. Godoy, A.
  5. Sampedro, C.
Revista:
Journal of Applied Physics

ISSN: 0021-8979

Año de publicación: 2009

Volumen: 106

Número: 2

Tipo: Artículo

DOI: 10.1063/1.3176498 GOOGLE SCHOLAR
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