Monte Carlo simulation of low-field mobility in strained double gate SOI transistors

  1. Gámiz, F.
  2. Godoy, A.
  3. Sampedro, C.
  4. Rodriguez, N.
  5. Ruiz, F.
Zeitschrift:
Journal of Computational Electronics

ISSN: 1569-8025,  1572-8137

Datum der Publikation: 2008

Ausgabe: 7

Nummer: 3

Seiten: 205-208

Art: Artikel

DOI: 10.1007/S10825-007-0163-5 GOOGLE SCHOLAR
Datenquelle: Scopus