Monte Carlo simulation of low-field mobility in strained double gate SOI transistors

  1. Gámiz, F.
  2. Godoy, A.
  3. Sampedro, C.
  4. Rodriguez, N.
  5. Ruiz, F.
Aldizkaria:
Journal of Computational Electronics

ISSN: 1569-8025,  1572-8137

Argitalpen urtea: 2008

Alea: 7

Zenbakia: 3

Orrialdeak: 205-208

Mota: Artikulua

DOI: 10.1007/S10825-007-0163-5 GOOGLE SCHOLAR
Datuen iturria: Scopus