Modeling of retention time degradation due to inelastic trap-assisted tunneling in EEPROM devices

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Zeitschrift:
Microelectronics Reliability

ISSN: 0026-2714

Datum der Publikation: 2003

Ausgabe: 43

Nummer: 9-11

Seiten: 1495-1500

Art: Konferenz-Beitrag

DOI: 10.1016/S0026-2714(03)00265-8 GOOGLE SCHOLAR

Objetivos de desarrollo sostenible

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