Improving strained-Si on Si 1-xGe x deep submicron MOSFETs performance by means of a stepped doping profile
- Gámiz, F.
- Roldán, J.B.
- Kosina, H.
- Grasser, T.
ISSN: 0018-9383
Any de publicació: 2001
Volum: 48
Número: 9
Pàgines: 1878-1884
Tipus: Article