Improving strained-Si on Si 1-xGe x deep submicron MOSFETs performance by means of a stepped doping profile

  1. Gámiz, F.
  2. Roldán, J.B.
  3. Kosina, H.
  4. Grasser, T.
Zeitschrift:
IEEE Transactions on Electron Devices

ISSN: 0018-9383

Datum der Publikation: 2001

Ausgabe: 48

Nummer: 9

Seiten: 1878-1884

Art: Artikel

DOI: 10.1109/16.944172 GOOGLE SCHOLAR
Datenquelle: Scopus