Effects of the inversionlayer centroid on the performance of doublegate MOSFET's

  1. LöpezVillanueva, J.A.
  2. CartujoCassinello, P.
  3. Gâmiz, F.
  4. Banqueri, J.
  5. Raima, A.J.
Aldizkaria:
IEEE Transactions on Electron Devices

ISSN: 0018-9383

Argitalpen urtea: 2000

Alea: 47

Zenbakia: 1

Orrialdeak: 141146

Mota: Artikulua

GOOGLE SCHOLAR
Datuen iturria: Scopus