Development of a method for determining the dependence of the electron mobility on the longitudinal-electric field in MOSFETs

  1. Roldán, J.B.
  2. Gámiz, F.
  3. López-Villanueva, J.A.
Revista:
VLSI Design

ISSN: 1065-514X

Any de publicació: 1998

Volum: 8

Número: 1-4

Pàgines: 261-264

Tipus: Article

DOI: 10.1155/1998/52301 GOOGLE SCHOLAR lock_openAccés obert editor
Font de les dades: Scopus