Development of a method for determining the dependence of the electron mobility on the longitudinal-electric field in MOSFETs

  1. Roldán, J.B.
  2. Gámiz, F.
  3. López-Villanueva, J.A.
Zeitschrift:
VLSI Design

ISSN: 1065-514X

Datum der Publikation: 1998

Ausgabe: 8

Nummer: 1-4

Seiten: 261-264

Art: Artikel

DOI: 10.1155/1998/52301 GOOGLE SCHOLAR lock_openOpen Access editor
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