Effects of the inversion layer centroid on MOSFET behavior

  1. Löpez-Villanueva, J.A.
  2. Cartujo-Casinello, P.
  3. Banqueri, J.
  4. Gâmiz, F.
  5. Rodriguez, S.
Zeitschrift:
IEEE Transactions on Electron Devices

ISSN: 0018-9383

Datum der Publikation: 1997

Ausgabe: 44

Nummer: 11

Seiten: 1915-1922

Art: Artikel

DOI: 10.1109/16.641361 GOOGLE SCHOLAR
Datenquelle: Scopus