On the correlation between the retention time of FBRAM and the low-frequency noise of UTBOX SOI nMOSFETs

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Actas:
European Solid-State Device Research Conference

ISSN: 1930-8876

ISBN: 9781467317078

Año de publicación: 2012

Páginas: 338-341

Tipo: Aportación congreso

DOI: 10.1109/ESSDERC.2012.6343402 GOOGLE SCHOLAR