Impact of Ge content and recess depth on the leakage current in strained Si1-xGex/Si heterojunctions

  1. Luque Rodríguez, A.
  2. Bargallo Gonzalez, M.
  3. Eneman, G.
  4. Claeys, C.
  5. Kobayashi, D.
  6. Simoen, E.
  7. Jiménez Tejada, J.A.
Zeitschrift:
IEEE Transactions on Electron Devices

ISSN: 0018-9383

Datum der Publikation: 2011

Ausgabe: 58

Nummer: 8

Seiten: 2362-2370

Art: Artikel

DOI: 10.1109/TED.2011.2148723 GOOGLE SCHOLAR
Datenquelle: Scopus