Influence of the magnetic field on dielectric breakdown in memristors based on h-BN stacks

  1. Maldonado, D.
  2. Roldan, J.B.
  3. Roldan, A.M.
  4. Jimenez-Molinos, F.
  5. Hui, F.
  6. Shi, Y.
  7. Jing, X.
  8. Wen, C.
  9. Lanza, M.
Actes de conférence:
IEEE International Reliability Physics Symposium Proceedings

ISSN: 1541-7026

ISBN: 9781728131993

Année de publication: 2020

Volumen: 2020-April

Type: Communication dans un congrès

DOI: 10.1109/IRPS45951.2020.9128325 GOOGLE SCHOLAR

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