Influence of magnetic field on the operation of TiN/Ti/HfO2/W resistive memories

  1. Maldonado, D.
  2. Roldán, A.M.
  3. González, M.B.
  4. Jiménez-Molinos, F.
  5. Campabadal, F.
  6. Roldán, J.B.
Zeitschrift:
Microelectronic Engineering

ISSN: 0167-9317

Datum der Publikation: 2019

Ausgabe: 215

Art: Artikel

DOI: 10.1016/J.MEE.2019.110983 GOOGLE SCHOLAR

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