Thermal study of multilayer resistive random access memories based on HfO 2 and Al 2 O 3 oxides

  1. Cazorla, M.
  2. Aldana, S.
  3. Maestro, M.
  4. González, M.B.
  5. Campabadal, F.
  6. Moreno, E.
  7. Jiménez-Molinos, F.
  8. Roldán, J.B.
Revista:
Journal of Vacuum Science and Technology B: Nanotechnology and Microelectronics

ISSN: 2166-2754,  2166-2746

Año de publicación: 2019

Volumen: 37

Número: 1

Tipo: Artículo

DOI: 10.1116/1.5058294 GOOGLE SCHOLAR
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