Resistive Switching with Self-Rectifying Tunability and Influence of the Oxide Layer Thickness in Ni/HfO2/n+-Si RRAM Devices
- Rodriguez-Fernandez, A.
- Aldana, S.
- Campabadal, F.
- Sune, J.
- Miranda, E.
- Jimenez-Molinos, F.
- Roldan, J.B.
- Gonzalez, M.B.
ISSN: 0018-9383
Datum der Publikation: 2017
Ausgabe: 64
Nummer: 8
Seiten: 3159-3166
Art: Artikel