An in-depth simulation study of Coulomb mobility in ultra-thin-body SOI MOSFETs

  1. Jiménez-Molinos, F.
  2. Roldn, J.B.
  3. Balaguer, M.
  4. Gmiz, F.
Zeitschrift:
Semiconductor Science and Technology

ISSN: 0268-1242,  1361-6641

Datum der Publikation: 2010

Ausgabe: 25

Nummer: 5

Art: Artikel

DOI: 10.1088/0268-1242/25/5/055002 GOOGLE SCHOLAR
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