Compact Modeling of Multi-Layered MoS2FETs including Negative Capacitance Effect

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Revista:
IEEE Journal of the Electron Devices Society

ISSN: 2168-6734

Año de publicación: 2020

Volumen: 8

Páginas: 1177-1183

Tipo: Artículo

DOI: 10.1109/JEDS.2020.3021031 GOOGLE SCHOLAR lock_openAcceso abierto editor
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