Lateral Heterostructure Field-Effect Transistors Based on Two-Dimensional Material Stacks with Varying Thickness and Energy Filtering Source

  1. Marin, E.G.
  2. Marian, D.
  3. Perucchini, M.
  4. Fiori, G.
  5. Iannaccone, G.
Zeitschrift:
ACS Nano

ISSN: 1936-086X,  1936-0851

Datum der Publikation: 2020

Ausgabe: 14

Nummer: 2

Seiten: 1982-1989

Art: Artikel

DOI: 10.1021/ACSNANO.9B08489 GOOGLE SCHOLAR lock_openOpen Access editor

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