Multi-scale modeling of 2D GaSe FETs with strained channels

  1. Toral-Lopez, A.
  2. Santos, H.
  3. Marin, E.G.
  4. Ruiz, F.G.
  5. Palacios, J.J.
  6. Godoy, A.
Zeitschrift:
Nanotechnology

ISSN: 1361-6528,  0957-4484

Datum der Publikation: 2022

Ausgabe: 33

Nummer: 10

Art: Artikel

DOI: 10.1088/1361-6528/AC3CE2 GOOGLE SCHOLAR
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