Stable Al2O3 Encapsulation of MoS2-FETs Enabled by CVD Grown h-BN

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Revista:
Advanced Electronic Materials

ISSN: 2199-160X

Año de publicación: 2022

Volumen: 8

Número: 9

Tipo: Artículo

DOI: 10.1002/AELM.202200123 GOOGLE SCHOLAR lock_openAcceso abierto editor
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