Caracterizacion del transporte electronico en sio2 por metodo de monte carlo

  1. PLACENCIA MILLAN, YOLANDA
Dirigida por:
  1. Xavier Aymerich Humet Director/a

Universidad de defensa: Universitat Autònoma de Barcelona

Año de defensa: 1991

Tribunal:
  1. Francisco Serra Mestres Presidente/a
  2. Francesca Campabadal Segura Secretario/a
  3. José Millán Gómez Vocal
  4. Juan Enrique Carceller Beltrán Vocal
  5. Josep Calderer Cardona Vocal

Tipo: Tesis

Teseo: 32002 DIALNET

Resumen

El objetivo del trabajo es la caracterizacion del transporte de electrones en el oxido de silicio de capacidades mos sometidas a campos electricos del orden de los 10 mv/cm y constantes temporal y espacialmente. A tal efecto, se ha desarrollado un programa de simulacion basado en el metodo de monte carlo. El trabajo se divide en seis capitulos: en el primero se exponen las propiedades fisicas del sistema en el que se efectua el transporte. En el segundo, se describen los modulos de la implementacion informatica llevada a cabo. En el capitulo tercero se estudia la cinematica del transporte electronico. En el capitulo cuarto se obtiene la funcion de distribucion del momento y de la energia del sistema de electrones. En el capitulo cinco se estudia la dinamica del electron, a fin de caracterizar su dispersion espacial y relacionarla con el area de ruptura de un oxido roto dielectricamente. Finalmente, en el capitulo seis, se caracteriza la disipacion de energia en el volumen del oxido y se interpreta fenomenologicamente la relacion tiempo de ruptura-espesor de oxido.