3D-TCAD benchmark of two-gate dual-doped Reconfigurable FETs on FDSOI28 technology

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Revista:
Solid-State Electronics

ISSN: 0038-1101

Año de publicación: 2023

Volumen: 200

Tipo: Artículo

DOI: 10.1016/J.SSE.2022.108577 GOOGLE SCHOLAR lock_openAcceso abierto editor

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