Analysis of the edge region photocapacitance at constant bias in Te-doped Al0.55Ga0.45As

  1. Morante, J.R.
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Revista:
Solid State Electronics

ISSN: 0038-1101

Año de publicación: 1986

Volumen: 29

Número: 7

Páginas: 759-766

Tipo: Artículo

DOI: 10.1016/0038-1101(86)90163-2 GOOGLE SCHOLAR
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