Impact of Strain on S/D tunneling in FinFETs: a MS-EMC study

  1. Medina-Bailon, Cristina
  2. Sampedro, Carlos
  3. Luis Padilla, Jose
  4. Godoy, Andres
  5. Donetti, Luca
  6. Georgiev, Vihar P.
  7. Gamiz, Francisco
  8. Asenov, Asen
Col·lecció de llibres:
2018 INTERNATIONAL CONFERENCE ON SIMULATION OF SEMICONDUCTOR PROCESSES AND DEVICES (SISPAD 2018)

ISSN: 1946-1569

ISBN: 978-1-5386-6790-3

Any de publicació: 2018

Pàgines: 301-304

Congrés: International Conference on Simulation of Semiconductor Processes and Devices (SISPAD)

Tipus: Aportació congrés

GOOGLE SCHOLAR
Fuente de los datos: WoS