Mobility of Circular and Elliptical Si Nanowire Transistors Using a Multi-Subband 1D Formalism

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Revista:
IEEE Electron Device Letters

ISSN: 1558-0563,  0741-3106

Año de publicación: 2019

Volumen: 40

Número: 10

Páginas: 1571-1574

Tipo: Artículo

DOI: 10.1109/LED.2019.2934349 GOOGLE SCHOLAR
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