Variability predictions for the next technology generations of n-type Si x Ge 1-x nanowire MOSFETs

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Revista:
Micromachines

ISSN: 2072-666X

Año de publicación: 2018

Volumen: 9

Número: 12

Tipo: Artículo

DOI: 10.3390/MI9120643 GOOGLE SCHOLAR lock_openAcceso abierto editor
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