Random Dopant-Induced Variability in Si-InAs Nanowire Tunnel FETs: A Quantum Transport Simulation Study

  1. Carrillo-Nunez, H.
  2. Lee, J.
  3. Berrada, S.
  4. Medina-Bailon, C.
  5. Adamu-Lema, F.
  6. Luisier, M.
  7. Asenov, A.
  8. Georgiev, V.P.
Aldizkaria:
IEEE Electron Device Letters

ISSN: 0741-3106

Argitalpen urtea: 2018

Alea: 39

Zenbakia: 9

Orrialdeak: 1473-1476

Mota: Artikulua

DOI: 10.1109/LED.2018.2859586 GOOGLE SCHOLAR lock_openSarbide irekia editor
Datuen iturria: Scopus