Simulations of 2-D Materials-Based Field Effect Transistors for Quantum Cascade Detectors

  1. Cannavò, E.
  2. Marian, D.
  3. Marin, E.G.
  4. Tredicucci, A.
  5. Fiori, G.
Revista:
IEEE Transactions on Electron Devices

ISSN: 1557-9646,  0018-9383

Año de publicación: 2024

Volumen: 71

Número: 1

Páginas: 630-636

Tipo: Artículo

DOI: 10.1109/TED.2023.3332073 GOOGLE SCHOLAR lock_openAcceso abierto editor
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