GRUPO DE INVESTIGACION EN DISPOSITIVOS ELECTRONICOS
GRIDE
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Fudan University
Shangai, ChinaPublicaciones en colaboración con investigadores/as de Fudan University (2)
2021
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A review of sharp-switching band-modulation devices
Micromachines, Vol. 12, Núm. 12
2018
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A review of the Z2-FET 1T-DRAM memory: Operation mechanisms and key parameters
Solid-State Electronics, Vol. 143, pp. 10-19