A review of the Z2-FET 1T-DRAM memory: Operation mechanisms and key parameters

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Revista:
Solid-State Electronics

ISSN: 0038-1101

Año de publicación: 2018

Volumen: 143

Páginas: 10-19

Tipo: Artículo

DOI: 10.1016/J.SSE.2017.11.012 GOOGLE SCHOLAR