E.T.S. DE INGENIERÍA DE CAMINOS, CANALES Y PUERTOS
Fakultatea
Instituto de Microelectrónica de Barcelona
Barcelona, EspañaInstituto de Microelectrónica de Barcelona -ko ikertzaileekin lankidetzan egindako argitalpenak (1)
2016
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A new parameter to characterize the charge transport regime in Ni/HfO2/Si-n+-based RRAMs
Solid-State Electronics, Vol. 118, pp. 56-60