Exploring resistive switching-based memristors in the charge–flux domain: A modeling approach

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Revista:
International Journal of Circuit Theory and Applications

ISSN: 1097-007X,  0098-9886

Año de publicación: 2018

Volumen: 46

Número: 1

Páginas: 29-38

Tipo: Aportación congreso

DOI: 10.1002/CTA.2397 GOOGLE SCHOLAR

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