Exploring resistive switching-based memristors in the charge–flux domain: A modeling approach

  1. Al Chawa, M.M.
  2. Picos, R.
  3. Roldan, J.B.
  4. Jimenez-Molinos, F.
  5. Villena, M.A.
  6. de Benito, C.
Revista:
International Journal of Circuit Theory and Applications

ISSN: 1097-007X,  0098-9886

Año de publicación: 2018

Volumen: 46

Número: 1

Páginas: 29-38

Tipo: Aportación congreso

DOI: 10.1002/CTA.2397 GOOGLE SCHOLAR
Fuente de los datos: Scopus