A qualitative study of the influence of confinement direction on phonon and interface roughness scattering in p-type FD/SOI devices

  1. Gómez-Campos, F.M.
  2. Rodríguez-Bolívar, S.
  3. Jiménez-Tejada, J.A.
  4. Carceller, J.E.
Revista:
Solid-State Electronics

ISSN: 0038-1101

Año de publicación: 2005

Volumen: 49

Número: 9 SPEC. ISS.

Páginas: 1454-1460

Tipo: Aportación congreso

DOI: 10.1016/J.SSE.2005.07.006 GOOGLE SCHOLAR
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