Hole confinement and energy subbands in a silicon inversion layer using the effective mass theory
ISSN: 0021-8979
Año de publicación: 1999
Volumen: 86
Número: 1
Páginas: 438-444
Tipo: Artículo
ISSN: 0021-8979
Año de publicación: 1999
Volumen: 86
Número: 1
Páginas: 438-444
Tipo: Artículo