Monte Carlo simulation of a submicron MOSFET including inversion layer quantization

  1. Roldan, J.B.
  2. Gamiz, F.
  3. Lopez-Villanueva, J.A.
  4. Carceller, J.E.
Revista:
VLSI Design

ISSN: 1065-514X

Año de publicación: 1998

Volumen: 6

Número: 1-4

Páginas: 287-290

Tipo: Artículo

DOI: 10.1155/1998/26390 GOOGLE SCHOLAR lock_openAcceso abierto editor
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