Monte Carlo study on electron transport properties in double-gate fully depleted SOI-MOSFETs

  1. Gámiz, F.
  2. Roldán, J.B.
  3. López-Villanueva, J.A.
  4. Carceller, J.E.
Actas:
European Solid-State Device Research Conference

ISSN: 1930-8876

ISBN: 2863322214

Año de publicación: 1997

Páginas: 208-211

Tipo: Aportación congreso

DOI: 10.1109/ESSDERC.1997.194402 GOOGLE SCHOLAR
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