A procedure for the determination of the effective mobility in an N-MOSFET in the moderate inversion region

  1. Banqueri, J.
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  3. Gámiz, F.
  4. Carceller, J.E.
  5. Lora-Tamayo, E.
  6. Lozano, M.
Zeitschrift:
Solid-State Electronics

ISSN: 0038-1101

Datum der Publikation: 1996

Ausgabe: 39

Nummer: 6

Seiten: 875-883

Art: Artikel

DOI: 10.1016/0038-1101(95)00246-4 GOOGLE SCHOLAR
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