A procedure for the determination of the effective mobility in an N-MOSFET in the moderate inversion region

  1. Banqueri, J.
  2. López-Villanueva, J.A.
  3. Gámiz, F.
  4. Carceller, J.E.
  5. Lora-Tamayo, E.
  6. Lozano, M.
Aldizkaria:
Solid-State Electronics

ISSN: 0038-1101

Argitalpen urtea: 1996

Alea: 39

Zenbakia: 6

Orrialdeak: 875-883

Mota: Artikulua

DOI: 10.1016/0038-1101(95)00246-4 GOOGLE SCHOLAR
Datuen iturria: Scopus