A procedure for the determination of the effective mobility in an N-MOSFET in the moderate inversion region

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Revista:
Solid-State Electronics

ISSN: 0038-1101

Ano de publicación: 1996

Volume: 39

Número: 6

Páxinas: 875-883

Tipo: Artigo

DOI: 10.1016/0038-1101(95)00246-4 GOOGLE SCHOLAR
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