Dependence of the electron cross section for the acceptor gold level in silicon on the gold to donor ratio

  1. Morante, J.R.
  2. Carceller, J.E.
  3. Herms, A.
  4. Cartujo, P.
  5. Barbolla, J.
Revista:
Applied Physics Letters

ISSN: 0003-6951

Any de publicació: 1982

Volum: 41

Número: 7

Pàgines: 656-658

Tipus: Article

DOI: 10.1063/1.93603 GOOGLE SCHOLAR
Font de les dades: Scopus