Dependence of the electron cross section for the acceptor gold level in silicon on the gold to donor ratio

  1. Morante, J.R.
  2. Carceller, J.E.
  3. Herms, A.
  4. Cartujo, P.
  5. Barbolla, J.
Revista:
Applied Physics Letters

ISSN: 0003-6951

Ano de publicación: 1982

Volume: 41

Número: 7

Páxinas: 656-658

Tipo: Artigo

DOI: 10.1063/1.93603 GOOGLE SCHOLAR