A thorough study of Si nanowire FETs with 3D Multi-Subband Ensemble Monte Carlo simulations

  1. Donetti, L.
  2. Sampedro, C.
  3. Ruiz, F.G.
  4. Godoy, A.
  5. Gamiz, F.
Zeitschrift:
Solid-State Electronics

ISSN: 0038-1101

Datum der Publikation: 2019

Ausgabe: 159

Seiten: 19-25

Art: Artikel

DOI: 10.1016/J.SSE.2019.03.044 GOOGLE SCHOLAR
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