Reliability study of thin-oxide zero-ionization, zero-swing FET 1T-DRAM memory cell

  1. Navarro, S.
  2. Navarro, C.
  3. Marquez, C.
  4. Salazar, N.
  5. Galy, P.
  6. Cristoloveanu, S.
  7. Gamiz, F.
Revista:
IEEE Electron Device Letters

ISSN: 1558-0563,  0741-3106

Año de publicación: 2019

Volumen: 40

Número: 7

Páginas: 1084-1087

Tipo: Artículo

DOI: 10.1109/LED.2019.2915118 GOOGLE SCHOLAR
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